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AEC-Q200試驗條件

作者:江志宏
 

AEC-Q200試驗條件:
說明:
AEC-Q200的環境試驗條件,主要是依據MIL-STD-202JEDEC22A-104規範來制定的,不同零件的試驗溫度除了不一樣之外,其施加電源(電壓、電流、負載)要求也會有所不同,高溫儲存屬於不施加偏壓與負載,但是在高溫工作壽命就需要,溫度循環與溫度衝擊,其試驗目的與手法不一樣,在溫度循環中高低溫變化需控制溫變率,溫衝擊則不用,偏高濕度就是俗稱的高溫高濕試驗,而濕度抵抗就是濕冷凍試驗

試驗條件注意事項:
1000h試驗過程需在250h500h進行間隔量測

高溫儲存(MIL-STD-202-108)[適用設備:
THS]
薄膜電容、網路低通濾波器、網路電阻、熱敏電阻、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器:85/1000h
電感、變壓器、電阻:125/1000h
變阻器:150/1000h
鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容:最大額定溫度
/1000h
 

高溫工作壽命(MIL-STD-202-108)[適用設備:THS]   
網路低通濾波器、網路電阻:85/1000h
EMI
干擾抑制器、EMI干擾過濾器:85/1000h/施加額定
IL
鉭電容、陶瓷電容:最大額定溫度/1000h/ (2/3)負載/額定電壓
鋁電解電容、電感、變壓器:
105/1000h
薄膜電容:1000h/(85/125%額定電壓、105&125/100%額定電壓)
自恢復保險絲:125/1000h
電阻、熱敏電阻、可變電容:125/1000h/額定電壓
可變電阻:125/1000h/額定功率
變阻器:125/1000h/額定電壓85+ma電流
陶瓷共鳴器:
85
/1000h/額定VDD+1MΩ,並聯逆變器,在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
石英震盪器:125/1000h/額定VDD+1MΩ,並聯逆變器,在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容

溫度循環(JEDEC22A-104)[適用設備:TSRESS]  
薄膜電容、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器:-55(30min)←→85(30min)/RAMP(15/min)/1000cycles
鉭電容、陶瓷電容、電阻、熱敏電阻: -55(30min)←→125
(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles
鋁電解電容:-40(30min)←→105(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles
電感、變壓器、變阻器、石英震盪器、自恢復保險絲:-40(30min)←→125(30min)/RAMP(15/min)/1000cycles
網路低通濾波器、網路電阻:-55(30min)←→125(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles


 

溫度衝擊(MIL-STD-202-107)[適用設備:TCTSK]
自恢復保險絲:-40(15min)←→125(15min)/300cycles
偏高濕度(MIL-STD-202-103)[適用設備:THS]
鉭電容、陶瓷電容:85/85%R.H./1000h/電壓1.3
1.5V
電感&變壓器:85/85%R.H./1000h/不通電
鋁電解電容:85/85%R.H./1000h/額定電壓
EMI
干擾抑制器、EMI干擾過濾器:85/85%R.H./1000h/額定電壓&電流
電阻、熱敏電阻:85/85%R.H./1000h/工作電源10%
自恢復保險絲:85/85%R.H./1000h/額定電流10%
可變電容、可變電阻:85/85%R.H./1000h/額定功率10%
網路低通濾波器&網路電阻:85/85%R.H./1000h/電壓[網路電容(額定電壓)、網路電阻(10%額定功率
)]
變阻器:85/85%R.H./1000h/額定電壓85+ma電流
石英震盪器、陶瓷共鳴器:85/85%R.H./1000h/額定VDD+1MΩ,並聯逆變器,在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
薄膜電容:40/93%R.H./1000h/額定電壓


濕度抵抗(MIL-STD-202-106)[適用設備:THS]
薄膜電容:(25℃←→65/90%R.H.*2cycle)/18h-10/3h,每一cycle24hstep7a&7b不通電

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