表面絕緣電阻與離子遷移試驗條件
作者:江志宏
說明: 無鉛製程的相關可靠度問題,對於PCB以及FPC還有銲錫業者來說,表面絕緣電阻降低、板材產生離子遷移與CAF(陽極導電性細絲物)..等,都是現今所必須要面對的課題之一,但是相關的試驗條件與規範資料,分散而且凌亂,慶聲透過多年的經驗將其常用的相關試驗條件整理給客戶參考,讓客戶在使用SIR或是MIG設備的時候,對於所會使用到的試驗條件有初步的了解與認識,縮短客戶的學習時間並提高效率,將時間花在自身工司的核心技術的研究上,希望能夠透過分享的角度,讓相關的技術加速交流與討論,使產業邁向新的領域與思維。
FPC(軟性印刷電路板)遷移試驗摘要:
試驗規範
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溫濕度 |
電壓 |
時間 |
備註 |
日商遷移試驗 |
80℃/ 85%R.H. |
50V |
1000h |
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日商遷移試驗 |
80℃/ 85%R.H. |
50V |
1000h |
|
日商遷移試驗 |
80℃/ 85%R.H. |
60V |
1000h |
(15/15um) |
日商表面絕緣電阻試驗 |
80℃/ 85%R.H. |
60V |
1000h |
線距:15um 線寬:15um |
日商HAST+SIR試驗 |
120℃/ 8 |
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CAF(導電性細絲物)試驗條件摘要:
試驗規範
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溫濕度
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電壓
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時間
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備註
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台灣廠商01-耐CAF板
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85℃/ 85%R.H.
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50V
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>2000h
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(孔徑&孔距0.5mm),4層板
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日商-筆記型PCB試驗規範
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85℃/ 85%R.H.
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1000h
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>1.16*10^10Ω
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日商02-CAF-1
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85℃/ 85%R.H.
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50~100V
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500~1000h
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日商-02-CAF-2
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85℃/ 85%R.H.
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50V
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240h
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台灣廠商02-耐CAF板
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85℃/ 85%R.H.
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50V
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>1000h
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孔徑: 0.35mm
孔距:0.3mm
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日商-耐CAF銅面積層板
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85℃/ 85%R.H.
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50V
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>2000h
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>1*10^6Ω
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日商-PCB-CAF試驗
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85℃/ 85%R.H.
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100V
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>2000h
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線距0.3mm
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日商-高耐熱多層材料
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85℃/ 85%R.H.
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100V
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>1000h
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日商-高TG玻璃環氧PCB材料
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85℃/ 85%R.H.
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50V
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1000h
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日商-低誘電率多層板
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85℃/ 85%R.H.
110℃/ 5%R.H.
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50V
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1000h
300h
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>1*10^8Ω
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日商-耐CAF&無鉛銲錫多層PCB配線材料 |
120℃/ 85%R.H. |
100V |
800h |
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日商-PCB電路板 |
85℃/ 85%R.H. |
100V
|
2000h以上
|
線距0.3mm
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耐CAF試驗 |
85℃/ 85%R.H. |
50V
|
1000h |
耐CAF板>小時, (孔徑0.35mm、孔距0.35mm) |
依電壓分類:
SIR試驗條件 ( 單電壓)
STANDARD
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Temp. / Hum.
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Test volt.
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Test Duration
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Test Coupon
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Endorse
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日商-化銀層遷移試驗
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85℃/ 85%R.H.
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1000h
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日商-化銀層遷移試驗
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85℃/ 85%R.H.
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504h
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IPC-4553&J-STD-004
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>1/10,無樹枝狀結晶
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日商-化銀層遷移試驗
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85℃/ 85%R.H.
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96h
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IPC-650-2.6.3.5&IPC-4553
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>10^8符合汽車工業要求
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日商-化銀層遷移試驗
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35℃/ 85%R.H.
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100V
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96h
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IPC-650-2.6.3.5&IPC-4553&Bellcore GR-78
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>10^10
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日商-化銀層遷移試驗(SIR)高Tg耐熱電路板
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85℃/ 85%R.H.
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100V
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2500h
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手機PCB測試條件
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85℃/ 85%R.H.
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3.3V
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500h
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IEC-61189-5
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40℃/ 93 % R.H.
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5V
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72 h(每20m測量一次)
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JES D22-A110
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JES D22-A110
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5V
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96 hrs
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Filp Chip封裝[耐濕試驗]
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85℃/ 85%R.H.
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5V
|
2000h
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1*10^10Ω 以上
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PCB板結露試驗-1[使用JIS-2梳形電路]
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6±2℃/ 60±5%R.H.
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5V
|
25min
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25cycle
|
|
PCB板結露試驗-2[使用JIS-2梳形電路]
2
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25±2℃/ 90±5%R.H.
|
5V
|
15min
|
25cycle
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多層板層間測試
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109℃/ 100%R.H.
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5V/50V
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168h
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5*10^7Ω 以上
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數位相機鏡頭
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60℃/ 90%R.H.
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6V
|
1000h
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>10^13Ω
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IPC-TM-650-2.6.14.-1
|
85℃/ 90%R.H.
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10V
|
500h
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[Resistance to Electrochmical]
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最小電流1mA(10kΩ)
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IPC-TM-650-2.6.14.-2
|
85℃/ 85%R.H.
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10V
|
168h
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[migration,polymer solder mask]
|
最小電流1mA(10kΩ)
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銀遷移試驗(無鉛製程)
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85℃/ 85%R.H.
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12V
|
1000h
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>10^13Ω
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筆記型PCB試驗規範
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85℃/ 85%R.H.
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12V
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650h
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IPC-TM-650-2.6.3
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25-65℃/90%R.H.
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100V
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20cycle
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PGM下載
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IPC-SP-818 Flux
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50℃/ 90-95%R.H.
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45V~50V
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168h
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IPC-SF-G18
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50℃/ 96 % or86℃/ 85%~0%R.H
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45V~50V
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1000 ~ 1500h
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IPC-SF-G18
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50℃,96%或86℃,85%~90%R.H.
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45V ~ 50V
|
96h
|
|
|
IPC-SP-818 Flux
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85℃/ 85-90%R.H.
|
45V~50V
|
168h
|
|
|
ISO / PWI 9455-17-1
|
85℃/ 85%R.H.
|
50V
|
168h
|
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ISO / PWI 9455-17-2
|
40℃/ 93%R.H.
|
50V
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21天
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MIL-F-14256D
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85℃/ 95%R.H.
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50V
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1000~1500 h
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PCB層間絕緣可靠度
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85℃/ 85%R.H.
|
50V
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1000h
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10^8Ω以上
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增層多層板背膠銅箔
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85℃/ 85%R.H.
|
50V
|
1000h
|
用途:手機,筆記型電腦,PDA
|
10^8Ω以上
|
ISO / PWI 9455-17
|
85℃/ 85%R.H.
|
50V
|
168h
|
|
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陶瓷基板[結露試驗]
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5-40℃/ 95%R.H.
|
50V
|
每段20min、總共500 h或750cycle
|
|
1*10^8Ω 以上
|
陶瓷基板[結露試驗]
|
5-40℃/ 95%R.H.
|
50V
|
總共500 h或750cycle
|
|
1*10^8Ω 以上
|
MIL-F-14256
|
85℃/ 85%R.H.
|
50V
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96h/168h
|
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QQ-S-571
|
85℃/ 85%R.H.
|
50V
|
96h/168h
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無接著劑銅張基層板
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85℃/ 85%R.H.
|
60V
|
>1500h
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10^10Ω
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Flux好壞判定
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85℃/ 85%R.H.
|
100V
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250h
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1*10^9Ω 以上
|
STANDARD
|
Temp. / Hum.
|
Test volt.
|
Test Duration
|
Test Coupon
|
Endorse
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SIR規範 ( 雙電壓)
STANDARD
|
IR
|
Mig.
|
Temp. / Hum.
|
Test volt.
|
Bias
|
Test Duration
|
Test Coupon
|
Endorse
|
日商遷移試驗
|
|
|
85℃/ 85%R.H.
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偏壓10V/100V
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504h
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IPC-650-2.6.14.1&IPC-4553&J-STD-004
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>1/10
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Bellcore GR78-CORE
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|
85℃/ 85 % R.H.
|
40~50V
|
10V
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20days or 500h
|
|
測試電路:IPC-B-24, 初值>1.1*10^11Ω,試驗完畢值>1.7*10^11Ω,或試驗完畢值>初期值/10)
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IPC-TM-650-2.6.3.3
|
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85℃/ 85%RH
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100V
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50V/DC(reversed nolarity)
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7days
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calss3
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[Surface Insuration Resistance, Fluxes],>1*10^10Ω(不清洗) ,IPC B-24板,線寬0.4mm,線距0.5mm
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SIR結露試驗條件-2
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H級
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25℃/ 85% ~ 93%R.H.
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50Vdc/100Vdc
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50V
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6days
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熱迴圈20次,1分鐘一筆資料
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JIS Z 3284-1
|
|
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85℃/ 85%~90%R.H.
|
100V
|
45~50V
|
1000h
|
JIS Z 3284
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ANSI / J-STD004
|
|
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85℃/ 85% R.H.
|
100 V
|
50V
|
168h
|
ANSI /J-STD004
|
|
Bellcore GR78-CORE
|
|
|
85℃/ 85% R.H.
|
100V
|
10V
|
500h
|
|
表面絕緣電阻量測
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JIS Z 3197
|
|
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85℃/ 85%~90%R.H.
|
100V
|
45~50V
|
96h/1000h
|
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